Хочу поделится очень полезной для каждого радиолюбителя схемой, найденной на просторах интернета и успешно повторенную. Это действительно очень нужный прибор, имеющий много функций и собранный на основе недорогого микроконтроллера ATmega8. Деталей минимум, поэтому при наличии готового программатора собирается за вечер.
Данный тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Будет очень полезен как начинающему радиолюбителю, так и профессионалам.
Особенно незаменим он в тех случаях, когда имеются запасы транзисторов с полустёртой маркировкой, или если не получается найти даташит на какой-нибудь редкий китайский транзистор. Схема на рисунке, кликните для увеличения или скачайте архив:
Типы тестируемых радиоэлементов
Имя элемента - Индикация на дисплее :
NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF
Описание дополнительных параметров измерения:
H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение - Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
В списке приводится вариант отображения информации для английской прошивки. На момент написания статьи появилась русская прошивка, с которой всё стало гораздо понятнее. для программирования контроллера ATmega8 можно тут.
Сама конструкция получается довольно компактной - примерно с пачку сигарет. Питание от батареи "крона" на 9В. Потребляемый ток 10-20мА.
Для удобства подключения испытуемых деталей, надо подобрать подходящий универсальный разъём. А лучше несколько - для различных типов радиодеталей.
Кстати, у многих радиолюбителей часто возникают проблемы с проверкой полевых транзисторов, в том числе с изолированным затвором. Имея данное устройство, вы сможете за пару секунд узнать и его цоколёвку, и работоспособность, и ёмкость перехода, и даже наличие встроенного защитного диода.
Планарные smd транзисторы тоже с трудом поддаются расшифровке. А многие радиодетали для поверхностного монтажа иногда не удаётся даже примерно определению - или то диод, или что ещё...
Что касается обычных резисторов, то и тут налицо превосходство нашего тестера над обычными омметрами, входящими в состав цифровых мультиметров DT. Здесь реализовано автоматическое переключение необходимого диапазона измерения.
Это касается и проверки конденсаторов - пикофарады, нанофарады, микрофарады. Просто подключите радиодеталь к гнёздам прибора и нажмите кнопку TEST - на экране сразу отобразится вся основная информация о элементе.
Готовый тестер можно разместить в любом небольшом пластмассовом корпусе. Устройство собрано и успешно испытано.
Обсудить статью ТЕСТЕР ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ РАДИОЭЛЕМЕНТОВ НА МИКРОКОНТРОЛЛЕРЕ
При сборке простых конструкций необходимо удостовериться в работоспособности устанавливаемых в них транзисторов. При этом зачастую совершенно недостаточно просто убедиться в их целостности, прозвонив их переходы. Гораздо надежнее и результативнее будет испытать их, например, в режиме генерации.
Ниже приводится очень простая схема испытателя транзисторов для начинающих радиолюбителей.
В статье рассказывается как доделать бытовой дозиметр и превратить его в испытатель транзисторов, позволяющий измерять некоторые их параметры.
Очень хорошая схема испытателя транзисторов, позволяющая определить цоколевку неизвестного экземпляра, с отображением на знакосинтезирующем индикаторе.
Транзистор, как усилительный прибор, является основой основ для построения самых разнообразных электронных устройств. Соответственно возникает необходимость быть уверенным в его исправности, а так же оценить его качественные показатели, о чем и рассказывается ниже.
Чтобы проверить исправность и работоспособность собственно транзистора, оказывается можно использовать радиоточку. Причем по громкости используемого звукоизлучателя можно оценить коэффициент усиления конкретного экземпляра. Ну а схема генератора на основе проверяемого транзистора является стандартным методом его проверки. К тому же с помощью генераторной схемы проверки полупроводниковых приборов можно грубо определять коэффициент усиления триодов, чтобы подобрать лучшие экземпляры.
Для конкретного измерения статического коэффициента усиления транзистора потребуется изготовить испытатель и даже измеритель оного. Хотя на поверку схема его может быть не намного сложнее пробника. Единственное, что необходимо будет отградуировать шкалу измерительного прибора. А для этого, конечно, может потребоваться образцовый тестер. А можно использовать сам тестер в качестве индикатора))).
Бывают несложные приставки, с помощью которых можно измерить также такой параметр транзистора, как обратный ток коллектора.
Все эти конструкции применимы совместно с маломощными транзисторами. Для проверки и испытания среднемощных транзисторов и транзисторов большой мощности придется изготовить другие приставки. Конечно можно использовать эти же самые устройства, просто добавив дополнительные элементы коммутации. Но это-то и портит дело. Легче и удобнее смастерить измерители отдельно для мощных транзисторов.
Отдельно необходимо отметить, что статический коэффициент передачи тока (коэффициент усиления) и обратный ток коллектора — это основные показатели усилительных свойств транзистора. Но в практике начинающего радиолюбителя бывает достаточно просто убедиться в исправности и работоспособности конкретного экземпляра.
Достоинство предлагаемой схемы пробника в том, что он во многих случаях позволяет проверять исправность транзисторов, не выпаивая их из конструкции.
В этой статье я хочу показать вам, как сделать простой тестер для транзисторов NPN структуры, своими руками. Если вы собираете какую либо схему и хотите использовать в ней БУ транзисторы, то вы легко можете проверить его работоспособность этим тестером! Данная схема была найдена на американском сайте, переведена и опубликована! Предлагается 2 схемы.
Расскажу в двух словах, для тех кто не знает, как работает транзистор. На самом деле, говоря простым языком, транзистор ни что иное, как микро выключатель, только управляется он током. Транзистор имеет 3 вывода, эмиттер-база-коллектор. Для того что бы транзистор заработал, на базу подают маленький ток, транзистор открывается и может пропускать белее больший ток через эмиттер и коллектор. С помощью предложенного тестера, можно проверить, не имеет ли транзистор дефектов.
Припаяйте все детали на кусочек монтажной платы. Контакты для подключения испытываемого транзистора, можно изготовить из толстой проволоки, или лучше всего, откусить от мощного резистора ножки, поделить их на 3 равные части и припаять к плате.
Ниже представлен готовый тестер с подключённым транзистором. Как вы видите, светодиод горит, значит транзистор открыт, ток протекает, а значит он исправен. Если светодиод не горит, соответственно его использовать уже не получится.
Принципиальная схема достаточно простого испытателя маломощных транзисторов приведена на рис. 9. Он представляет собой генератор звуковой частоты, который при исправном транзисторе VT возбуждается, и излучатель НА1 воспроизводит звук.
Рис. 9. Схема простого испытателя транзисторов
Питание устройства осуществляется от батареи GB1 типа 3336Л напряжением от 3,7 до 4,1 В. В качестве звукоизлучателя используется высокоомный телефонный капсюль. При необходимости проверки транзистора структуры n-p-n достаточно поменять полярность включения батареи питания. Эту схему можно также использовать в качестве звукового сигнализатора, управляемого вручную кнопкой SA1 или контактами какого-либо устройства.
2.2. Прибор для проверки исправности транзисторов
Кирсанов В.
С помощью этого несложного прибора можно проверять транзисторы, не выпаивая их из того устройства, в котором они установлены. Необходимо лишь отключить там питание.
Принципиальная схема прибора приведена на рис. 10.
Рис. 10. Схема прибора для проверки исправности транзисторов
Если выводы испытуемого транзистора V x подключить к прибору, он совместно с транзистором VT1 образует схему симметричного мультивибратора с емкостной связью, и если транзистор исправен, мультивибратор будет генерировать колебания звуковой частоты, которые после усиления транзистором VT2 воспроизведутся звукоизлучателем В1. С помощью переключателя S1 можно изменить полярность напряжения, поступающего на проверяемый транзистор согласно его структуре.
Вместо старых германиевых транзисторов МП 16 можно использовать современные кремниевые КТ361 с любым буквенным индексом.
2.3. Испытатель транзисторов средней и большой мощности
Васильев В.
С помощью этого прибора есть возможность измерить обратный ток коллектор-эмиттер транзистора I КЭ и статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э при разных значениях тока базы. Прибор позволяет измерять параметры транзисторов обеих структур. На принципиальной схеме прибора (рис. 11) показаны три группы входных клемм. Группы Х2 и ХЗ предназначены для подключения транзисторов средней мощности с разным расположением выводов. Группа XI - для транзисторов большой мощности.
Кнопками S1-S3 устанавливается ток базы испытуемого транзистора: 1,3 или 10 мА Переключателем S4 можно изменить полярность подключения батареи питания в зависимости от структуры транзистора. Стрелочный прибор РА1 магнитоэлектрической системы с током полного отклонения 300 мА измеряет ток коллектора. Для питания прибора используется батарея GB1 типа 3336Л.
Рис. 11. Схема испытателя транзисторов средней и большой мощности
Перед подключением испытуемого транзистора к одной из групп входных клемм нужно установить переключатель S4 в положение, соответствующее структуре транзистора. После его подключения прибор покажет значение обратного тока коллектор-эмиттер. Затем одной из кнопок S1-S3 включают ток базы и измеряют ток коллектора транзистора. Статический коэффициент передачи тока h 21Э определяется делением измеренного тока коллектора на установленный ток базы. При оборванном переходе ток коллектора равен нулю, а при пробитом транзисторе загораются индикаторные лампы H1, Н2 типа МН2,5–0,15.
2.4. Испытатель транзисторов со стрелочным индикатором
Вардашкин А .
При использовании этого прибора можно измерить обратный ток коллектора I КБО и статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э маломощных и мощных биполярных транзисторов обеих структур. Принципиальная схема прибора показана на рис. 12.
Рис. 12. Схема испытателя транзисторов со стрелочным индикатором
Испытуемый транзистор подключается к клеммам прибора в зависимости от расположения выводов. Переключателем П2 устанавливается режим измерения для маломощных или мощных транзисторов. Переключатель ПЗ изменяет полярность батареи питания в зависимости от структуры контролируемого транзистора. Переключатель П1 на три положения и 4 направления служит для выбора режима. В положении 1 измеряется обратный ток коллектора I КБО при разомкнутой цепи эмиттера. Положение 2 служит для установки и измерения тока базы I б. В положении 3 измеряется статический ко- эффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э.
При измерении обратного тока коллектора мощных транзисторов параллельно измерительному прибору РА1 переключателем П2 подключается шунт R3. Установка тока базы производится переменным резистором R4 под контролем стрелочного прибора, который при мощном транзисторе также шунтируется резистором R3. Для измерений статического коэффициента передачи тока при маломощных транзисторах микроамперметр шунтируется резистором R1, а при мощных - резистором R2.
Схема испытателя рассчитана на применение в качестве стрелочного прибора микроамперметра типа М592 (или любого другого) с током полного отклонения 100 мкА, нулем посредине шкалы (100-0-100) и сопротивлением рамки 660 Ом. Тогда подключение к прибору шунта сопротивлением 70 Ом дает предел измерения 1 мА, сопротивлением 12 Ом - 5 мА, а 1 Ом - 100 мА. Если использовать стрелочный прибор с другим значением сопротивления рамки, придется пересчитать сопротивления шунтов.
2.5. Испытатель мощных транзисторов
Белоусов А.
Этот прибор позволяет измерять обратный ток коллектор-эмиттер I КЭ, обратный ток коллектора I КБО, а также статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером h 21Э мощных биполярных транзисторов обеих структур. Принципиальная схема испытателя показана на рис. 13.
Рис. 13. Принципиальная схема испытателя мощных транзисторов
Выводы испытуемого транзистора подключаются к клеммам ХТ1, ХТ2, ХТЗ, обозначенных буквами «э», «к» и «б». Переключатель SB2 используется для переключения полярности питания в зависимости от структуры транзистора. Переключателями SB1 и SB3 пользуются в процессе измерений. Кнопки SB4-SB8 предназначены для изменения пределов измерения путем изменения тока базы.
Для измерения обратного тока коллектор-эмиттер нажимают кнопки SB1 и SB3. При этом отключается база контактами SB 1.2 и отключается шунт R1 контактами SB 1.1. Тогда предел измерения тока составляет 10 мА. Для измерения обратного тока коллектора отсоединяют вывод эмиттера от клеммы ХТ1, подключают к ней вывод базы транзистора и нажимают кнопки SB1 и SB3. Полное отклонение стрелки вновь соответствует току 10 мА.
